Антава

VISHAY

Транзистор SQJ974EP-T1_GE3

SQJ974EP-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
17 A
Рассеиваемая мощность
16 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 834 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%354,26 ₽

Сумма · с НДС 22%354,26 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1354,26 ₽
от 10206,18 ₽
от 25185,56 ₽
от 50170,57 ₽
от 100159,32 ₽
от 500148,08 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSQJ974EP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current17 A
Рассеиваемая мощность16 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance25.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 17A; 16W

Документация

Документ производителя