Антава

VISHAY

Транзистор SQJ968EP-T1_GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET x2
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
23.5A
Pulsed drain current
72A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSQJ968EP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current23.5A
Pulsed drain current72A
Power dissipation42W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 23.5A; Idm: 72A

Документация

Документы пока не предоставлены.