Антава

VISHAY

Транзистор SQJ952EP-T1_GE3

Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
23 A
Pulsed drain current
93 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQJ952EP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current23 A
Pulsed drain current93 A
Power dissipation25 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 23A; Idm: 93A

Документация

Документы пока не предоставлены.