VISHAY

Транзистор SQJ951EP-T1_BE3

PowerPAK® SO8Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET x2
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -28 A
Pulsed drain current: -120 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SQJ951EP-T1_BE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET x2
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-28 A
Pulsed drain current	-120 A
Рассеиваемая мощность	56 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	14 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -28A; 56W

Документация

Документы пока не предоставлены.