Антава

VISHAY

Транзистор SQJ872EP-T1_GE3

SQJ872EP-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
24.5 A
Рассеиваемая мощность
55 W
Корпус
PowerPAK® SO8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQJ872EP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current24.5 A
Рассеиваемая мощность55 W
КорпусPowerPAK® SO8
On-state resistance35.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge14nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24.5A; 55W; PowerPAK® SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.