Антава

VISHAY

Транзистор SQJ858AEP-T1_GE3

SQJ858AEP-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
33 A
Рассеиваемая мощность
48 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQJ858AEP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current33 A
Рассеиваемая мощность48 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance6.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge36nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 33A; 48W

Документация

Документ производителя