Антава

VISHAY

Транзистор SQJ840EP-T1_GE3

SQJ840EP-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
30A
Power dissipation
46W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSQJ840EP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current30A
Power dissipation46W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance7.5mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge38nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; 46W

Документация

Документы пока не предоставлены.