Антава

VISHAY

Транзистор SQJ738EP-T1_GE3

Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
123 A
Pulsed drain current
399 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQJ738EP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current123 A
Pulsed drain current399 A
Рассеиваемая мощность93 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 123A; Idm: 399A

Документация

Документы пока не предоставлены.