Антава

VISHAY

Транзистор SQJ570EP-T1_GE3

SQJ570EP-T1_GE3
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
15 A
Power dissipation
27 W
Корпус
SO8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQJ570EP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current15 A
Power dissipation27 W
КорпусSO8
On-state resistance36.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 27W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.