VISHAY

Транзистор SQJ560EP-T1_GE3

PowerPAK® SO8Изображение корпуса

Type of transistor: N/P-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60 V
Power dissipation: 34 W
Корпус: PowerPAK® SO8

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SQJ560EP-T1_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N/P-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	60 V
Power dissipation	34 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±20 V
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 34W

Документация

Документы пока не предоставлены.