VISHAY

Транзистор SQJ504EP-T1_GE3

Фото уточняется

Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 34W
Корпус: PowerPAK® SO8

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SQJ504EP-T1_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N/P-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	40V
Power dissipation	34W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±20V
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 34W

Документация

Документы пока не предоставлены.