Антава

VISHAY

Транзистор SQJ504EP-T1_BE3

Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Power dissipation
34 W
Корпус
PowerPAK® SO8
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQJ504EP-T1_BE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Power dissipation34 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40V; 34W; PowerPAK® SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.