Антава

VISHAY

Транзистор SQJ488EP-T1_BE3

SQJ488EP-T1_BE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
24 A
Pulsed drain current
170 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQJ488EP-T1_BE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current24 A
Pulsed drain current170 A
Power dissipation83 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance21 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 24A; Idm: 170A

Документация

Документы пока не предоставлены.