Антава

VISHAY

Транзистор SQJ465EP-T1_GE3

SQJ465EP-T1_GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-8 A
Рассеиваемая мощность
15 W
Корпус
PowerPAK® SO8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 740 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%218,77 ₽

Сумма · с НДС 22%218,77 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1218,77 ₽
от 10166,77 ₽
от 50145,25 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSQJ465EP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-8 A
Рассеиваемая мощность15 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance85 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge26.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8A; 15W; PowerPAK® SO8

Документация

Документ производителя