VISHAY

Транзистор SQJ463EP-T1_GE3

PowerPAK® SO8Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40 V
Drain current: -30 A
Pulsed drain current: -120 A
Power dissipation: 28 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SQJ463EP-T1_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-40 V
Drain current	-30 A
Pulsed drain current	-120 A
Power dissipation	28 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	18 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	150nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -30A; Idm: -120A; 28W

Документация

Документы пока не предоставлены.