Антава

VISHAY

Транзистор SQJ457EP-T1_GE3

Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-36 A
Pulsed drain current
-100 A
Рассеиваемая мощность
22 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQJ457EP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-36 A
Pulsed drain current-100 A
Рассеиваемая мощность22 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance50.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.1µC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -36A; Idm: -100A; 22W

Документация

Документы пока не предоставлены.