Антава

VISHAY

Транзистор SQJ457EP-T1_BE3

Фото уточняется
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60V
Drain current
-36A
Power dissipation
68W
Корпус
PowerPAK® SO8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSQJ457EP-T1_BE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60V
Drain current-36A
Power dissipation68W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance25mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -36A; 68W; PowerPAK® SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.