Антава

VISHAY

Транзистор SQJ444EP-T1_GE3

SQJ444EP-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
60 A
Pulsed drain current
150 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQJ444EP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current60 A
Pulsed drain current150 A
Рассеиваемая мощность68 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge51nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 150A; 68W

Документация

Документы пока не предоставлены.