VISHAY

Транзистор SQJ431AEP-T1_BE3

PowerPAK® SO8Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200 V
Drain current: -9.4 A
Pulsed drain current: -60 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SQJ431AEP-T1_BE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-200 V
Drain current	-9.4 A
Pulsed drain current	-60 A
Рассеиваемая мощность	68 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	763 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	85nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -200V; -9.4A; Idm: -60A

Документация

Документы пока не предоставлены.