VISHAY

Транзистор SQJ423EP-T1_GE3

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40 V
Drain current: -31 A
Pulsed drain current: -100 A
Power dissipation: 68 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SQJ423EP-T1_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-40 V
Drain current	-31 A
Pulsed drain current	-100 A
Power dissipation	68 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	14 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -31A; Idm: -100A; 68W

Документация

Документы пока не предоставлены.