VISHAY

Транзистор SQJ414EP-T1_GE3

SQJ414EP-T1_GE3

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 25 A
Pulsed drain current: 90 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SQJ414EP-T1_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	25 A
Pulsed drain current	90 A
Power dissipation	45 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	12 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	15nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 25A; Idm: 90A; 45W

Документация

Документы пока не предоставлены.