Антава

VISHAY

Транзистор SQJ411EP-T1_GE3

Фото уточняется
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-12V
Drain current
-60A
Power dissipation
68W
Корпус
PowerPAK® SO8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSQJ411EP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-12V
Drain current-60A
Power dissipation68W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±8V
On-state resistance4.8mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -60A; 68W; PowerPAK® SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.