VISHAY

Транзистор SQJ403EP-T1_GE3

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -30 A
Power dissipation: 68 W
Корпус: PowerPAK® SO8

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SQJ403EP-T1_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-30 A
Power dissipation	68 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	7 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -30A; 68W; PowerPAK® SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.