Антава

VISHAY

Транзистор SQJ403BEEP-T1_GE3

Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-30 A
Power dissipation
68 W
Корпус
PowerPAK® SO8
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQJ403BEEP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-30 A
Power dissipation68 W
КорпусPowerPAK® SO8
On-state resistance7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge164nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -30A; 68W; PowerPAK® SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.