VISHAY

Транзистор SQJ401EP-T1_GE3

PowerPAK® SO8Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12 V
Drain current: -32 A
Power dissipation: 83 W
Корпус: PowerPAK® SO8

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SQJ401EP-T1_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-12 V
Drain current	-32 A
Power dissipation	83 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	5 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -32A; 83W; PowerPAK® SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.