Антава

VISHAY

Транзистор SQJ262EP-T1_GE3

Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Корпус
PowerPAK® SO8
Gate-source voltage
±20 V
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQJ262EP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; PowerPAK® SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.