VISHAY

Транзистор SQJ186ELP-T1_GE3

SQJ186ELP-T1_GE3

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Drain current: 38 A
Pulsed drain current: 112 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SQJ186ELP-T1_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Drain current	38 A
Pulsed drain current	112 A
Power dissipation	135 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	0.125 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	45nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 38A; Idm: 112A

Документация

Документы пока не предоставлены.