Антава

VISHAY

Транзистор SQJ184EP-T1_GE3

SQJ184EP-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Drain-source voltage
80 V
Drain current
118 A
Корпус
PowerPAK® SO8
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 000 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%125,58 ₽

Сумма · с НДС 22%376 740,00 ₽

От 3000 шт. · шаг 3000

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 3000125,58 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSQJ184EP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Drain-source voltage80 V
Drain current118 A
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance33 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; 80V; 118A; PowerPAK® SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.