Антава

VISHAY

Транзистор SQJ182EP-T1_GE3

SQJ182EP-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
210 A
Рассеиваемая мощность
395 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQJ182EP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current210 A
Рассеиваемая мощность395 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge64nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 210A; 395W

Документация

Документы пока не предоставлены.