Антава

VISHAY

Транзистор SQJ174EP-T1_GE3

SQJ174EP-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
169 A
Pulsed drain current
335 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQJ174EP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current169 A
Pulsed drain current335 A
Power dissipation500 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge54nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 169A; Idm: 335A

Документация

Документы пока не предоставлены.