Антава

VISHAY

Транзистор SQJ142ELP-T1_GE3

SQJ142ELP-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40V
Drain current
175A
Power dissipation
190W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSQJ142ELP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40V
Drain current175A
Power dissipation190W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance2.8mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge55nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 175A; 190W

Документация

Документы пока не предоставлены.