Антава

VISHAY

Транзистор SQJ140EP-T1_GE3

SQJ140EP-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
154 A
Pulsed drain current
385 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQJ140EP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current154 A
Pulsed drain current385 A
Рассеиваемая мощность263 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge49.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 154A; Idm: 385A

Документация

Документы пока не предоставлены.