Антава

VISHAY

Транзистор SQJ138EP-T1_GE3

SQJ138EP-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
195 A
Pulsed drain current
434 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQJ138EP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current195 A
Pulsed drain current434 A
Рассеиваемая мощность312 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge58nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 195A; Idm: 434A

Документация

Документы пока не предоставлены.