Антава

VISHAY

Транзистор SQJ128ELP-T1_GE3

SQJ128ELP-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
437 A
Рассеиваемая мощность
500 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQJ128ELP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current437 A
Рассеиваемая мощность500 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.16 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge99nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 437A; 500W

Документация

Документы пока не предоставлены.