Антава

VISHAY

Транзистор SQJ126EP-T1_GE3

SQJ126EP-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
500 A
Pulsed drain current
776 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSQJ126EP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current500 A
Pulsed drain current776 A
Power dissipation500 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge152nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 500A; Idm: 776A

Документация

Документы пока не предоставлены.