Антава

VISHAY

Транзистор SQJ120EP-T1_GE3

SQJ120EP-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
202 A
Power dissipation
130 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQJ120EP-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current202 A
Power dissipation130 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge58nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 202A; 130W

Документация

Документы пока не предоставлены.