VISHAY

Транзистор SQJ114ELP-T1_GE3

SQJ114ELP-T1_GE3

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 33 A
Pulsed drain current: 126 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SQJ114ELP-T1_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	33 A
Pulsed drain current	126 A
Рассеиваемая мощность	115 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	12.1 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	50nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 33A; Idm: 126A

Документация

Документы пока не предоставлены.