Антава

VISHAY

Транзистор SQD50P04-13L_GE3

SQD50P04-13L_GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-39 A
Pulsed drain current
-200 A
Power dissipation
136 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQD50P04-13L_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40 V
Drain current-39 A
Pulsed drain current-200 A
Power dissipation136 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance13 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -39A; Idm: -200A; 136W

Документация

Документы пока не предоставлены.