VISHAY

Транзистор SQD50P03-07_GE3

SQD50P03-07_GE3

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -50 A
Power dissipation: 136 W
Корпус: DPAK, TO252

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SQD50P03-07_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-50 A
Power dissipation	136 W
Корпус	DPAK, TO252
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	5 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 136W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.