Антава

VISHAY

Транзистор SQD50N04-5M6_GE3

SQD50N04-5M6_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
50 A
Рассеиваемая мощность
71 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQD50N04-5M6_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current50 A
Рассеиваемая мощность71 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge85nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 50A; 71W

Документация

Документы пока не предоставлены.