Антава

VISHAY

Транзистор SQD40131EL_GE3

SQD40131EL_GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40V
Drain current
-50A
Power dissipation
62W
Корпус
DPAK, TO252AA
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSQD40131EL_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40V
Drain current-50A
Power dissipation62W
КорпусDPAK, TO252AA
On-state resistance11.5mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge76nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; 62W; DPAK,TO252AA

Документация

Документы пока не предоставлены.