Антава

VISHAY

Транзистор SQD40061EL-T4_GE3

SQD40061EL-T4_GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-100 A
Рассеиваемая мощность
107 W
Корпус
DPAK, TO252
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQD40061EL-T4_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40 V
Drain current-100 A
Рассеиваемая мощность107 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -100A; 107W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.