Антава

VISHAY

Транзистор SQD40052EL_GE3

SQD40052EL_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
30 A
Pulsed drain current
120 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSQD40052EL_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current30 A
Pulsed drain current120 A
Power dissipation62 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge52nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 30A; Idm: 120A; 62W

Документация

Документы пока не предоставлены.