VISHAY
Транзистор SQD40031EL_GE3
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -30 V
- Drain current
- -94 A
- Рассеиваемая мощность
- 45 W
- Корпус
- DPAK, TO252
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 133 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%415,12 ₽
Сумма · с НДС 22%415,12 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 415,12 ₽ | |
| от 5 | 321,26 ₽ | |
| от 10 | 277,95 ₽ | |
| от 50 | 203,95 ₽ | |
| от 100 | 196,73 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | SQD40031EL_GE3 |
|---|---|
| Производитель | VISHAY |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -30 V |
| Drain current | -94 A |
| Рассеиваемая мощность | 45 W |
| Корпус | DPAK, TO252 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 3.2 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 186nC |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -94A; 45W; DPAK,TO252
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.