Антава

VISHAY

Транзистор SQD25N15-52_GE3

SQD25N15-52_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
16 A
Рассеиваемая мощность
107 W
Корпус
DPAK, TO252
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 957 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%620,92 ₽

Сумма · с НДС 22%620,92 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1620,92 ₽
от 10548,20 ₽
от 25503,45 ₽
от 50464,29 ₽
от 100423,27 ₽
от 250367,33 ₽
от 500326,31 ₽
от 1000283,42 ₽
от 2000240,54 ₽
от 4000223,76 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSQD25N15-52_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current16 A
Рассеиваемая мощность107 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance52 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge34nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 16A; 107W; DPAK,TO252

Документация

Документ производителя