Антава

VISHAY

Транзистор SQD19P06-60L_GE3

SQD19P06-60L_GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-11 A
Power dissipation
15 W
Корпус
DPAK, TO252
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 254 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%427,39 ₽

Сумма · с НДС 22%427,39 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1427,39 ₽
от 10243,13 ₽
от 50199,45 ₽
от 100184,25 ₽
от 500151,96 ₽
от 1000146,26 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSQD19P06-60L_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-11 A
Power dissipation15 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance55 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge27nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -11A; 15W; DPAK,TO252

Документация

Документ производителя