Антава

VISHAY

Транзистор SQD10N30-330H_GE3

SQD10N30-330H_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300 V
Drain current
5 A
Pulsed drain current
16 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQD10N30-330H_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300 V
Drain current5 A
Pulsed drain current16 A
Power dissipation107 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.33 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge31nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 300V; 5A; Idm: 16A; 107W

Документация

Документы пока не предоставлены.