Антава

VISHAY

Транзистор SQD100N04-3M6_GE3

SQD100N04-3M6_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
100 A
Power dissipation
136 W
Корпус
DPAK, TO252
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSQD100N04-3M6_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current100 A
Power dissipation136 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge105nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 136W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.