Антава

VISHAY

Транзистор SQA444CEJW-T1_GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
9 A
Power dissipation
13.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQA444CEJW-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current9 A
Power dissipation13.6 W
КорпусPowerPAK® SC70
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance39 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 9A; 13.6W

Документация

Документы пока не предоставлены.