VISHAY

Транзистор SQA413CEJW-T1_GE3

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -7.5 A
Pulsed drain current: -30 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SQA413CEJW-T1_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-7.5 A
Pulsed drain current	-30 A
Power dissipation	13.6 W
Gate-source voltage	±12 V
On-state resistance	58.6 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	16nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -7.5A; Idm: -30A

Документация

Документы пока не предоставлены.